根据加热方式和结构，半导体设备中常用的加热管主要有以下几类：

1. 金属加热管（电阻式加热管）

结构：以金属管（如不锈钢、Inconel 合金）为外壳，内部填充氧化镁粉绝缘，中心为电阻丝（镍铬合金、铁铬铝合金）。

特点：

耐高温（最高可达 1200℃），机械强度高，适合真空或惰性气体环境。

表面可进行特殊处理（如渗铝、喷涂陶瓷涂层），增强抗腐蚀和抗等离子体轰击能力。

应用场景：扩散炉、氧化炉、退火炉等高温工艺设备。

2. 陶瓷加热管

结构：以耐高温陶瓷（如氧化铝、氮化硅、碳化硅）为基体，内置电阻丝或印刷电阻膜（如钨浆、钼浆）。

特点：

绝缘性极佳，化学稳定性强（耐酸碱、耐等离子体腐蚀），无金属离子污染。

热响应速度快，控温精度高（±0.5℃以内），适合洁净度要求极高的工艺（如光刻胶固化、ALD atomic layer deposition 原子层沉积）。

耐高温（氮化硅陶瓷可达 1600℃），但脆性较高，需避免机械冲击。

应用场景：光刻胶烘箱、等离子体刻蚀机辅助加热、薄膜沉积设备（PVD/CVD）。

3. 石英加热管

结构：以高纯度石英玻璃（SiO₂含量＞99.9%）为外壳，内部封装钨丝或碳纤维加热体，可抽真空或充惰性气体（如氩气）。

特点：

透光性好，可通过红外辐射加热，加热速度快（数秒内升温至 800℃）。

化学惰性极强，不与半导体工艺中的气体（如 O₂、N₂、Cl₂）反应，无杂质挥发。

但石英材质耐高温上限较低（长期使用≤1000℃），抗热震性较差（骤冷骤热易破裂）。

应用场景：低温加热工艺（如光刻胶预热、晶圆干燥）、快速热退火（RTA）设备。

4. 红外加热管

结构：通过加热体（如金属丝、陶瓷发热片）发射特定波长的红外线（通常为中红外或近红外），利用辐射传热加热晶圆。

特点：

非接触式加热，避免与晶圆直接接触导致的污染或划伤。

热效率高，控温响应快（适合需要快速升降温的工艺）。

应用场景：薄膜退火、光刻胶软烘 / 坚膜、半导体封装中的预热工序。

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